发光二极管
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材料科学
光致发光
氮化物
自发辐射
宽禁带半导体
光学
物理
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图层（电子）
作者
Hiroshi Amano,GwangHui Park,Tomoyuki Tanikawa,Yoshio Honda,M. Yamaguchi,Kanako Ban,Kengo Nagata,Kentaro Nonaka,Kunihiro Takeda,Motoaki Iwaya,Tetsuya Takeuchi,Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki
标识
DOI：10.1364/cleo_at.2011.jtud2
摘要
Internal and external quantum efficiency and injection efficiency of nitride-based UV/DUV devices were investigated. Non radiative component in the photoluminescence and electroluminescence is found to be strongly correlated with the dislocation density.
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