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Standard BiCMOS Implementation of a Two-Peak Negative Differential Resistance Circuit with High and Adjustable Peak-to-Valley Current Ratio

异质结双极晶体管 比克莫斯 二极管 光电子学 晶体管 材料科学 双极结晶体管 电气工程 制作 异质结 电流(流体) 电子工程 电压 工程类 医学 替代医学 病理
作者
Dong Liang,Kwang–Jow Gan,Cheng Chi Tai,Cher Shiung Tsai
出处
期刊:IEICE Transactions on Electronics [Institute of Electronics, Information and Communication Engineers]
卷期号:E92-C (5): 635-638 被引量:3
标识
DOI:10.1587/transele.e92.c.635
摘要

The paper demonstrates a novel two-peak negative differential resistance (NDR) circuit combining Si-based metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOS) and SiGe-based heterojunction bipolar transistor (HBT). Compared to the resonant-tunneling diode, MOS-HBT-NDR has two major advantages in our circuit design. One is that the fabrication of this MOS-HBT-NDR-based application can be fully implemented by the standard BiCMOS process. Another is that the peak current can be effectively adjusted by the controlled voltage. The peak-to-valley current ratio is about 4136 and 9.4 at the first and second peak respectively. It is very useful for circuit designers to consider the NDR-based applications.
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