TCAD modeling of radiation-induced defects in 4H-SiC diodes

光电子学 辐射 材料科学 二极管 PIN二极管 工程物理 光学 物理
作者
Philipp Gaggl,Jürgen Burin,Andreas Gsponer,Simon Waid,Richard Thalmeier,T. Bergauer
出处
期刊:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research [Elsevier]
卷期号:1070: 170015-170015 被引量:4
标识
DOI:10.1016/j.nima.2024.170015

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