Next-generation electrochemical etching for III-nitride semiconductors: Innovations, applications, and beyond

材料科学 半导体 蚀刻(微加工) 氮化物 纳米技术 电化学 光电子学 工程物理 工程类 化学 电极 物理化学 图层(电子)
作者
Ramesh Kumar Raji,Naser Qamhieh,Adel Najar,Falah Awwad,Adnan Younis,Saleh T. Mahmoud
出处
期刊:Nanoscale [Royal Society of Chemistry]
卷期号:17 (34): 19528-19570 被引量:5
标识
DOI:10.1039/d5nr01807b
摘要

III-Nitride semiconductors offer wide bandgaps, thermal stability, and tunable properties, making them ideal for nanostructured devices. This review covers their synthesis, properties, and applications in photodetectors, gas sensors, and beyond.
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