Optimization of temperature field and crystal growth in the PVT method for high-quality 8-inch silicon carbide single crystal growth

碳化硅 晶体生长 Crystal(编程语言) 材料科学 领域(数学) 碳化物 质量(理念) 结晶学 光电子学 化学 冶金 计算机科学 物理 数学 量子力学 纯数学 程序设计语言
作者
Yanzhou Ji,Xiaochen Wang,Junjie Zhang,Boqian Liu,Junzhi Yang,Guanying Chen,Shengtao Zhang
出处
期刊:Journal of Crystal Growth [Elsevier BV]
卷期号:664: 128181-128181 被引量:10
标识
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2025.128181
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