Silicon epitaxy using tetrasilane at low temperatures in ultra-high vacuum chemical vapor deposition

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作者
Ramsey Hazbun,John Hart,Ryan Hickey,Ayana Ghosh,Nalin Fernando,Stefan Zollner,Thomas Adam,J. Kolodzey
出处
期刊:Journal of Crystal Growth [Elsevier BV]
卷期号:444: 21-27 被引量:23
标识
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2016.03.018

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