Dual monopole exposure strategy to improve extreme ultraviolet imaging

磁单极子 光学(聚焦) 计算机科学 对比度(视觉) 偏移量(计算机科学) 架空(工程) 人工智能 光学 计算机视觉 物理 量子力学 操作系统 程序设计语言
作者
Joern-Holger Franke,Timothy A. Brunner,Eric Hendrickx
出处
期刊:Journal of micro/nanopatterning, materials, and metrology [SPIE - International Society for Optical Engineering]
卷期号:21 (03) 被引量:13
标识
DOI:10.1117/1.jmm.21.3.030501
摘要

Background: In extreme ultraviolet lithography, the printable feature density is limited by stochastic defectivity, which can be reduced by increasing the optical contrast. The photomask induces pole-specific aerial image offsets. Consequently, illumination settings with multiple poles lead to contrast loss and focus offsets between different features.Aim: We aim to mitigate the contrast loss and best focus offsets between different features.Approach: Illumination was decomposed into monopoles. Each monopole was exposed separately using a fraction of the total dose. Each exposure was shifted by its pole-specific image offset to mitigate 3D mask effects.Results: Single monopoles mitigate contrast loss and best focus shifts, but in defocus, they suffer from aerial image shifts and distortions. Multiple aligned monopole exposures conserve these advantages but mitigate the problems in defocus. Because each monopole is exposed with only a fraction of the dose, the throughput penalty is limited to the scanner overhead.Conclusions: A multiple monopole exposure scheme can increase contrast, align the best foci, and mitigate single monopole exposure constraints. Additionally, it offers an improved pattern placement control through dose control knobs.

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