Effect of MgO buffer layer thickness on the electrical properties of MgZnO thin film transistors fabricated by plasma assisted molecular beam epitaxy

材料科学 缓冲器(光纤) 分子束外延 光电子学 图层(电子) 薄膜晶体管 制作 薄膜 场效应晶体管 晶体管 电子迁移率 阈值电压 等离子体 活动层 场效应 Crystal(编程语言) 外延 单晶
作者
Haiqin Huang,F.J. Liu,Jian Sun,Jianwei Zhao,Zhifeng Hu,Z.J. Li,X.Q. Zhang,Yue‐Sheng Wang
出处
期刊:Applied Surface Science [Elsevier]
卷期号:257 (24): 10721-10724 被引量:28
标识
DOI:10.1016/j.apsusc.2011.07.086
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