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出处
期刊：IEE proceedings
[Institution of Electrical Engineers]
日期：1982-01-01
卷期号：129 (1): 1-1
被引量：1721
标识
DOI：10.1049/ip-i-1.1982.0001
摘要
A review is given of our present knowledge of metal-semiconductor contacts. Topics covered include the factors that determine the height of the Schottky barrier, its current/voltage characteristics, and its capacitance. A short discussion is also given of practical contacts and their application in semiconductor technology, and a comparison is made with p-n junctions.
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