Role of Cobalt Doping on the Physical Properties of CdO Nanocrystalline Thin Films for Optoelectronic Applications

材料科学 纳米晶材料 薄膜 微晶 兴奋剂 带隙 分析化学(期刊) 醋酸镉 晶格常数 光电子学 纳米技术 光学 衍射 有机化学 化学 物理 冶金
作者
Raghavendra Bairy,Ananthakrishna Somayaji,Narasimha Marakala,Udaya Devadiga,M. Rajesh,John Chuol Wal
出处
期刊:Advances in Materials Science and Engineering [Hindawi Publishing Corporation]
卷期号:2022: 1-11 被引量:5
标识
DOI:10.1155/2022/8454811
摘要

In the current work, the authors aim to present an insight on the role of cobalt (Co) doping for the structural, morphological, and linear and nonlinear optical (NLO) properties of CdO thin films. The films were prepared using the spray pyrolysis (SP) technique, and the weight % of Co (x) was varied from 0–10. The structural properties of the films were confirmed by the powder X-ray diffraction (P-XRD) studies and are polycrystalline with a cubic structure and a lattice parameter of 0.4658 nm. As Co content in CdO films increases, cluster grain size and porosity decrease significantly, as seen in surface topographic and nanostructural analysis. Through the Burstein–Moss shift, the optical band gap “Eg” in Co: CdO film decreases from 2.52 to 2.05 eV with the increase in Co-doping. To study the NLO parameters, open aperture (OA) and closed aperture (CA) Z-scan measurements were performed using the diode-pumped solid-state continuous wave laser excitation (532 nm), and with the increased Co-content, the NLO parameters—nonlinear absorption coefficient (β∼10−3 cm/W), nonlinear refractive index n 2 10−8 cm2/W), and the 3rd-order NLO susceptibility χ 3 10−7 to 10−6 e.s.u.) values were determined and found to be enhanced. The maximum NLO parameters achieved in the present study with increasing Co concentration on CdO nanostructures prepared by the SP method are found to be the highest among the reported values and suggest that processed films are a capable material for optoelectronic sensor applications.

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