Contact resistivity and current flow path at metal/graphene contact

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作者
Kosuke Nagashio,Tomonori Nishimura,Koji Kita,Akira Toriumi
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:97 (14) 被引量:313
标识
DOI:10.1063/1.3491804
摘要

The contact properties between metal and graphene were examined. The electrical measurement on a multiprobe device with different contact areas revealed that the current flow preferentially entered graphene at the edge of the contact metal. The analysis using the cross-bridge Kelvin structure (CBK) suggested that a transition from the edge conduction to area conduction occurred for a contact length shorter than the transfer length of ~1 micron. The contact resistivity for Ni was measured as ~5*10-6 Ohmcm2 using the CBK. A simple calculation suggests that a contact resistivity less than 10-9 Ohmcm2 is required for miniaturized graphene field effect transistors.
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