Structural Evolution and Electrical Properties of Highly Active Plasma Process on 4H-SiC

等离子体 过程(计算) 化学 材料科学 计算机科学 物理 操作系统 量子力学
作者
Dae-Kyoung Kim,Mann–Ho Cho
出处
期刊:Applied Science and Convergence Technology [Korean Vacuum Society]
卷期号:26 (5): 133-138 被引量:6
标识
DOI:10.5757/asct.2017.26.5.133

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