Enhancing the electrical performance and stability of the high indium contents InGaZnO thin film transistors through Ar/O2 plasma treatment

作者
Muhpul Alip,Ablat Abliz
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:217: 111163-111163
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2026.111163

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