Absorber dependence of M3D overlay errors in high-NA and hyper-NA EUV lithography

极紫外光刻 平版印刷术 覆盖 材料科学 光电子学 下一代光刻 计算机科学 光学 物理 电子束光刻 抵抗 纳米技术 程序设计语言 图层(电子)
作者
Hiroyoshi Tanabe,Atsushi Takahashi
标识
DOI:10.1117/12.3046583
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