Unraveling the infrared detection properties of Bi 2 Te 3 depending on thickness under the semiconductor and metal surface states

光探测拓扑绝缘体红外线的材料科学半导体带隙金属绝缘体（电）光电子学曲面（拓扑）表面状态纳米技术凝聚态物理光学光电探测器冶金物理数学几何学

作者

Qijun Kao,Yongfeng Jia,Zhihao Wu,Zhangxinyu Zhou,Xun Ge,Jian Peng,Piotr Martyniuk,Jin Wang,Chuanbin Wang,Fang Wang

出处

期刊：Nanoscale [Royal Society of Chemistry]
日期：2025-01-01 卷期号：17 (14): 8524-8532 被引量：1

链接

nih.govdoi.org

标识

DOI：10.1039/d4nr05067c

摘要

As the thickness of the Bi 2 Te 3 film increases, its photoelectric response mechanism changes from a photoconductive effect to a photobolometric effect.

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