Simulation of transient radiation upset in a 0.18-μm CMOS SRAM by accurately modeling a 6T memory cell

静态随机存取存储器 心烦意乱 CMOS芯片 瞬态(计算机编程) 香料 晶体管 电子线路 电子工程 存储单元 辐射 材料科学 电气工程 光电子学 计算机科学 物理 工程类 光学 电压 操作系统 机械工程
作者
Zhenguo Zhao,Guang-Rong Li,Xiaolin Meng,Fang Yang,Xuan Zeng
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier]
卷期号:139: 114787-114787 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2022.114787

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