Charge-Trapping Phenomena in HfO2-Based FeFET-Type Nonvolatile Memories

铁电性 俘获 材料科学 电荷(物理) 光电子学 物理 电介质 量子力学 生态学 生物
作者
Ekaterina Yurchuk,Johannes Müller,Stefan Müller,Jan Paul,Milan Pešić,Ralf van Bentum,Uwe Schroeder,Thomas Mikolajick
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:63 (9): 3501-3507 被引量:336
标识
DOI:10.1109/ted.2016.2588439
摘要

S.3501-3507
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