High performance 4H-SiC double-trench super-junction MOSFET with embedded SBD

MOSFET 材料科学 电子工程 光电子学 电气工程 计算机科学 场效应晶体管 降级(电信) 领域(数学) 工程类 工程物理 物理
作者
Ziwei Hu,Jiafei Yao,Fan Yang,Zijing Yue,Yuxuan Dai,Jing M. Chen,Kemeng Yang,Man Li,Jun Zhang,Maolin Zhang,Yufeng Guo
出处
期刊:Microelectronics Journal [Elsevier BV]
卷期号:174: 107242-107242
标识
DOI:10.1016/j.mejo.2026.107242
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