A Warpage Prediction Model for Trench Field-Plate Power MOSFET in 300mm-Diameter Process

MOSFET 沟槽 功率MOSFET 过程(计算) 材料科学 领域(数学) 电子工程 工程类 工程物理 电气工程 计算机科学 晶体管 电压 复合材料 数学 操作系统 纯数学 图层(电子)
作者
Hiroaki Kato,Bozhou Cai,Jiuyang Yuan,Shin–ichi Nishizawa,Wataru Saito
出处
期刊:IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:38 (2): 263-269 被引量:2
标识
DOI:10.1109/tsm.2025.3543133
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