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奋斗梦旋

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574 积分 2024-08-19 加入

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A simple model describing the symmetric I–V characteristics of p polycrystalline Si/n monocrystalline Si, and n polycrystalline Si/ p monocrystalline Si junctions 1个月前 已关闭
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这个pdf仅是摘要页面，无全文 2个月前
已经找到【积分已退回】 5个月前
标题错误 5个月前
标题错误 5个月前
假文件，格式错误，就几kB 7个月前
只是目录，需要全文 7个月前
标题错误需要 Passivating and carrier-selective contacts—Basic requirements and implementation，得到 Electrical Detection of Gap Formation underneath Finger Electrodes on c-Si PV Cells Exposed to Acetic Acid Vapor under Hygrothermal Conditions 10个月前
长时间未响应【积分已退回】 11个月前
输错信息【积分已退回】 11个月前
速度慢【积分已退回】 1年前

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