DC/RF Performance and Reliability of 100-nm Gate Length AlGaN/GaN MIS-HEMTs with Different Thickness of in-situ SiN

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标题	DC/RF Performance and Reliability of 100-nm Gate Length AlGaN/GaN MIS-HEMTs with Different Thickness of in-situ SiN 不同原位SiN厚度的100nm栅长AlGaN/GaN MIS-HEMTs的DC/RF性能和可靠性相关领域材料科学光电子学栅极电介质高电子迁移率晶体管电介质可靠性（半导体）电气工程晶体管物理电压功率（物理）量子力学工程类
网址	https://doi.org/10.1109/vlsi-tsa/vlsi-dat57221.2023.10134287
DOI	10.1109/vlsi-tsa/vlsi-dat57221.2023.10134287 doi
其它	期刊：作者：Chin-Ya Su; Meng‐Che Tsai; Tian-Li Wu 出版日期：2023-04-17
求助人	小菜鸟在 2023-11-03 19:51:39 发布自江苏，悬赏 10 积分
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