Ultra‑Low‑Noise Gated InGaAs/InP Single‑Photon Avalanche Diode With 10⁻⁶ cps Dark Count Rate

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标题	Ultra‑Low‑Noise Gated InGaAs/InP Single‑Photon Avalanche Diode With 10⁻⁶ cps Dark Count Rate
网址	http://dx.doi.org/10.1109/LPT.2025.3498765
DOI	10.1109/LPT.2025.3498765 doi
求助人	zzwch 在 2026-03-31 17:33:38 发布自北京，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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