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 Investigation of proton irradiated dual field plate AlGaN/GaN HEMTs: TCAD based assessment 质子辐照双场板AlGaN/GaN HEMTs的研究：基于TCAD的评估
相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
跨导
辐照
光电子学
通量
氮化镓
电压
阈值电压
电气工程
晶体管
纳米技术
物理
核物理学
图层（电子）
工程类
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期刊：Microelectronics Journal 作者：Neha; Vandana Kumari; Mridula Gupta; Manoj Saxena 出版日期：2022-02-22 |
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