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Advancing the frontiers of N-polar GaN HEMT technology: materials, architectures, and applications in RF and power electronics
推进N极GaN HEMT技术的前沿：射频和电力电子中的材料、架构和应用
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网址
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.109874
DOI
10.1016/j.mssp.2025.109874 doi
其它 期刊：Materials Science in Semiconductor Processing
作者：C. Arul Murugan; P. Murugapandiyan; C. Sivamani; Haripriya Dayalan
出版日期：2025-07-22
求助人
都可rainbow 在 2025-10-05 13:21:41 发布自广东，悬赏 10 积分
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