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标题
Interface trap charge-based reliability assessment of high-k dielectric-modulated nanoscaled FD SOI MOSFET for low power digital ICs: Modeling and simulation
用于低功耗数字集成电路的高k介质调制纳米级FD SOI MOSFET基于界面陷阱电荷的可靠性评估：建模与仿真
相关领域
绝缘体上的硅 MOSFET 材料科学 光电子学 高-κ电介质 电介质 晶体管 电子工程 电气工程 电压 硅 工程类
网址
https://doi.org/10.1016/j.spmi.2021.106871
DOI
10.1016/j.spmi.2021.106871 doi
其它 期刊：Superlattices and Microstructures
作者：Nilesh Anand Srivastava; Anjali Priya; R. A. Mishra
出版日期：2021-03-30
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海鸥飞处 在 2025-08-05 04:40:02 发布，悬赏 10 积分
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