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 Design optimization of high breakdown voltage vertical GaN junction barrier Schottky diode with high-K/low-K compound dielectric structure 高K/低K复合介质结构高击穿电压垂直GaN结势垒肖特基二极管的设计优化
相关领域
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期刊：Chinese Physics B 作者：Kuiyuan Tian; Yong Liu; Jiangfeng Du; Qi Yu 出版日期：2022-09-02 |
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斯文败类
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