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  Hot-Electron-Induced Punch-Through (HEIP) Effect in p-MOSFET Enhanced by Mechanical Stress 机械应力增强p-MOSFET热电子诱导穿通效应
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Kookjin Lee; B. Kaczer; Anastasiia Kruv; Mario González; R. Degraeve; et al 出版日期：2021-08-16 |
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