Hot-Electron-Induced Punch-Through (HEIP) Effect in p-MOSFET Enhanced by Mechanical Stress

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标题	Hot-Electron-Induced Punch-Through (HEIP) Effect in p-MOSFET Enhanced by Mechanical Stress 机械应力增强p-MOSFET热电子诱导穿通效应相关领域纳米压头材料科学压力（语言学） MOSFET 场效应晶体管晶体管撞击电离电子机械负荷热载流子注入光电子学复合材料电气工程纳米压痕电离化学离子电压物理工程类哲学有机化学语言学量子力学
网址	https://doi.org/10.1109/led.2021.3104885
DOI	10.1109/led.2021.3104885 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Kookjin Lee; B. Kaczer; Anastasiia Kruv; Mario González; R. Degraeve; et al 出版日期：2021-08-16
求助人	Wuwuwu_ 在 2025-10-17 02:41:25 发布自北京，悬赏 10 积分
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