| 标题 |
 STUDY ON THE HOT-CARRIER-DEGRADATION MECHANISM AND HOT-CARRIER-EFFECT IMMUNITY I N ADVANCED GROOVED-GATE PMOSFET 相关领域
材料科学
平面的
光电子学
MOSFET
CMOS芯片
金属浇口
降级（电信）
电子迁移率
阈值电压
短通道效应
栅氧化层
电气工程
电压
晶体管
计算机科学
工程类
计算机图形学（图像）
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期刊：Acta Physica Sinica 作者：Hongxia Ren; Hao Yue 出版日期：2000-01-01 |
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