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 Band offsets at interfaces between HgTe, CdTe, and InSb 相关领域
碲化镉光电
不连续性分类
凝聚态物理
带偏移量
格子（音乐）
电子能带结构
从头算
化学
异质结
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena 作者：Chris G. Van de Walle; Richard M. Martin 出版日期：2002-07-27 |
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