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 High-electron mobility P-doped polycrystalline GeSn layers formed on insulators at low temperatures 低温下在绝缘体上形成的高电子迁移率P掺杂多晶GeSn层
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Koki Nozawa; Takamitsu Ishiyama; Takeshi Nishida; Noriyuki Saitoh; Noriko Yoshizawa; et al 出版日期：2023-05-15 |
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