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 Low-Temperature Processed Al-Doped HfO 2 Ferroelectric Memristor with IGZO Exhibiting High Polarization, Endurance, and Retention 具有IGZO的低温处理Al掺杂HfO 2铁电忆阻器表现出高极化、耐久性和保持性
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掺杂剂
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期刊：ACS applied electronic materials 作者：Gahong Lee; Yumeng Guo; Zhong Pan; Jang‐Kun Song; Sangheon Park; et al 出版日期：2025-11-07 |
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