Effect of a ZrO2 Seed Layer on an Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Device Fabricated via Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition

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标题	Effect of a ZrO2 Seed Layer on an Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Device Fabricated via Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition 相关领域原子层沉积图层（电子）材料科学沉积（地质）等离子体铁电性光电子学逐层复合材料电介质沉积物量子力学生物物理古生物学
网址	https://www.mdpi.com/1996-1944/16/5/1959/pdf?version=1677505...
DOI	10.3390/ma16051959 doi
其它	期刊：Materials 作者：Jina Song; Min-Jung Oh; Chang‐Bun Yoon 出版日期：2023-02-27
求助人	feifei7525 在 2026-01-08 16:31:42 发布自广东，悬赏 10 积分
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