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标题
Improved breakdown characteristic of AlGaN/GaN HEMTs with a width gradient recessed dual-gate structure
具有宽度梯度凹入双栅结构的AlGaN/GaN HEMT改进的击穿特性
相关领域
高电子迁移率晶体管 光电子学 材料科学 击穿电压 制作 泄漏（经济） 晶体管 电压 电气工程 医学 工程类 宏观经济学 病理 经济 替代医学
网址
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac974c
DOI
10.1088/1361-6641/ac974c doi
其它 期刊：Semiconductor Science and Technology
作者：Sheng Zhang; Wei Ke; Yichuan Zhang; Xiaojuan Chen; Xinyu Liu; et al
出版日期：2022-10-14
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lilli 在 2025-12-06 10:02:28 发布自北京，悬赏 10 积分
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