Gate‐Tunable Circular Photogalvanic Effects in Two‐dimensional Perovskite Ferroelectric‐based Transistor toward Multi‐state Memory

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标题	Gate‐Tunable Circular Photogalvanic Effects in Two‐dimensional Perovskite Ferroelectric‐based Transistor toward Multi‐state Memory
网址	https://doi.org/10.1002/anie.202421463
DOI	10.1002/anie.202421463 doi
其它	期刊：Angewandte Chemie 作者：Wuqian Guo; Haojie Xu; Fapeng Sun; Yi Liu; Yu Ma; et al 出版日期：2025-02-20
求助人	Hxiiiiiiz 在 2026-11-01 15:54:03 发布自河南，悬赏 10 积分
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