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 2 kV normally-off recessed p-NiO gate GaN-based HEMTs fabricated using “buffer-free” AlGaN/GaN heterostructures on SiC substrates |
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Justyna Wierzbicka; Wojciech Hendzelek; Maciej Kamiński; Jarosław Tarenko; Joanna Jankowska-Śliwińska; et al 出版日期：2026-05-01 |
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