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Enhancement-mode GaN HEMTs: recent developments in device design and performance for high-power applications |
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期刊:Journal of Materials Science 作者:A. Rajalingam; Shyni P. Nair; S. Maheswari; N. M. Mary Sindhuja; B. Senthilkumar; et al 出版日期:2026 |
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(2025-6-4)