Homoepitaxial Growth of Vanadium-Doped Semi-insulating 4H-SiC Using Bis-trimethylsilylmethane and Bis-cyclopentadienylvanadium Precursors

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标题	Homoepitaxial Growth of Vanadium-Doped Semi-insulating 4H-SiC Using Bis-trimethylsilylmethane and Bis-cyclopentadienylvanadium Precursors
网址	https://syndication.highwire.org/content/doi/10.1149/1.28001...
DOI	10.1149/1.2800111 doi
其它	期刊：Journal of The Electrochemical Society 作者：Ho Keun Song; Sun Young Kwon; Jeong Hyun Moon; Han Seok Seo; Jeong Hyuk Yim; et al 出版日期：2007-11-27
求助人	爱睡觉的胡萝卜在 2026-09-09 14:54:39 发布自陕西，悬赏 20 积分
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