Simulation of enhancement-mode recessed-gate p-channel HFETs based on polarization-induced doping and an InGaN/GaN/AlGaN heterostructure

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标题	Simulation of enhancement-mode recessed-gate p-channel HFETs based on polarization-induced doping and an InGaN/GaN/AlGaN heterostructure
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6641/abfe9a
DOI	10.1088/1361-6641/abfe9a doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Weining Liu; Chi Sun; Xing Wei; Li Zhang; Xiaodong Zhang; et al 出版日期：2021-05-06
求助人	paperslicing 在 2026-08-20 20:13:14 发布自俄罗斯，悬赏 10 积分
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