High temperature reliability and performance evaluation of 1200 V SiC MOSFETs

已完结

文献求助详情

标题	High temperature reliability and performance evaluation of 1200 V SiC MOSFETs
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2023.127086
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2023.127086 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Guibao Wang; Lei Yuan; Xiaowen Wang; Yuming Zhang; Renxu Jia 出版日期：2023-03-01
求助人	宇文天思在 2026-08-19 16:20:48 发布自英国，悬赏 10 积分
下载	求助已完成，仅限求助人下载。

上个求助

下个求助

提交工单

该求助已完结，感谢关注

如需该文献，请重新发布求助，前往发布

有了科研通，下载文献真轻松！

请遵守相关知识产权规定，勿将文件分享给他人，仅可用于个人研究学习

我的文献求助列表浏览历史

一分钟了解求助规则 | 捐赠本站 | 历史今天

更新

⚡ 2026年影响因子、分区 已更新！ (2026-6-17)

更新

📰 新增『新锐期刊分区』 (2026-3-24)

更新

💬 新增更精细的自定义提醒设置 (2026-1-4)

新增

🕒 每天60秒读懂世界·精选全球要闻 (2026-1-2)

新增

PDF的下载单位、IP信息已删除 (2025-6-4)

科研通是完全免费的文献互助平台，具备全网最快的应助速度，最高的求助完成率。对每一个文献求助，科研通都将尽心尽力，给求助人一个满意的交代。

实时播报: 科研通AI6.2的应助被ayeben采纳，获得10

9秒前; 机灵自中完成签到，获得积分10

14秒前; Owen的应助被1111采纳，获得10

16秒前; 科研通AI6.2上传了应助文件

19秒前; Owen上传了应助文件

23秒前; 1111发布了新的文献求助10

28秒前; 从容棉花糖完成签到，获得积分10

31秒前; ayeben发布了新的文献求助10

33秒前; cdercder的应助被Tema采纳，获得10

37秒前; ayeben完成签到，获得积分10

43秒前; kgy完成签到，获得积分10

44秒前; 烟花上传了应助文件

48秒前; 骑猪看唱本发布了新的文献求助10

54秒前; cdercder的应助被苏苏采纳，获得30

1分钟前; 领导范儿的应助被1111采纳，获得10

1分钟前; 爆米花上传了应助文件

1分钟前; ZanE完成签到，获得积分10

1分钟前; 领导范儿上传了应助文件

1分钟前; 清脆棉花糖发布了新的文献求助10

1分钟前; cdercder的应助被Emma采纳，获得10

1分钟前; 1111发布了新的文献求助10

1分钟前; 希望天下0贩的0的应助被科研通管家采纳，获得10

1分钟前; 高大凌旋完成签到，获得积分10

1分钟前; cdercder的应助被Emma采纳，获得10

1分钟前; 汉堡包上传了应助文件

1分钟前; 1111发布了新的文献求助10

1分钟前; cdercder上传了应助文件

1分钟前; 凯凯宝完成签到，获得积分10

1分钟前; 香蕉觅云上传了应助文件

1分钟前; 凯凯宝发布了新的文献求助10

1分钟前; JamesPei上传了应助文件

1分钟前; 半_发布了新的文献求助10

1分钟前; 在水一方上传了应助文件

1分钟前; Jason发布了新的文献求助10

1分钟前; 肖浩翔发布了新的文献求助10

1分钟前; 可爱的函函的应助被lazysheep采纳，获得30

1分钟前; cdercder的应助被Emma采纳，获得10

1分钟前; 科研通AI6.2上传了应助文件

2分钟前; 肖浩翔完成签到，获得积分10

2分钟前; 半_发布了新的文献求助10

2分钟前