Irradiation Hardened p-GaN HEMTs Enabling 558 V Single-Event Hardness at 75.7 MeV⋅cm2/mg and 95% Conversion Efficiency at 300 W/500 kHz

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标题	Irradiation Hardened p-GaN HEMTs Enabling 558 V Single-Event Hardness at 75.7 MeV⋅cm2/mg and 95% Conversion Efficiency at 300 W/500 kHz
网址	https://doi.org/10.1109/led.2024.3386799
DOI	10.1109/led.2024.3386799 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Feng Zhou; Can Zou; Tianyang Zhou; Weizong Xu; Fangfang Ren; et al 出版日期：2024-04-09
求助人	LittleSyar 在 2026-07-09 11:31:17 发布自重庆，悬赏 10 积分
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