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 Charge trapping gate stack enabled non-recessed normally off AlGaN/GaN HEMT with high threshold voltage stability 具有高阈值电压稳定性的非凹入常关AlGaN/GaN HEMT的电荷俘获栅极堆叠
相关领域
高电子迁移率晶体管
光电子学
材料科学
宽禁带半导体
俘获
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阈值电压
电压
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Kangyao Wen; Jiaqi He; Yang Jiang; Fangzhou Du; Chenkai Deng; et al 出版日期：2024-09-30 |
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