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 Ab inito Quantum Transport Simulation of the Sub-1 nm Gate-length Monolayer and Bilayer α-MoTe2 Field-Effect Transistors 亚1 nm栅长单层和双层α-MoTe2场效应晶体管的从头量子输运模拟
相关领域
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领域（数学）
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期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Mudasser Husain; Y.M.Z. Ahmed; Xingyue Yang; Shibo Fang; Jichao Dong; et al 出版日期：2025-01-01 |
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