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 Defect engineering-induced Seebeck coefficient and carrier concentration decoupling in CuI by noble gas ion implantation 稀有气体离子注入CuI中缺陷工程诱导的Seebeck系数和载流子浓度解耦
相关领域
塞贝克系数
热电效应
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材料科学
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离子注入
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Martin Markwitz; Peter P. Murmu; Takao Mori; J. Kennedy; B. J. Ruck 出版日期：2024-11-18 |
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