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[求助补充材料] Ultra‐Reversible Electrochemical Behavior of Silicon with Dense Penetrating Stacking Faults via Crystal Engineering
通过晶体工程研究具有密集穿透层错的硅的超可逆电化学行为
相关领域
材料科学 堆积 硅 电化学 叠加断层 Crystal（编程语言） 纳米技术 光电子学 复合材料 位错 电极 核磁共振 物理化学 化学 物理 计算机科学 程序设计语言
网址
https://doi.org/10.1002/adfm.202509133
DOI
10.1002/adfm.202509133 doi
其它 期刊：Advanced Functional Materials
作者：Tingjie Hu; Haochen Zhou; Jingjing Tang; Song Chen; Yaguang Zhang; et al
出版日期：2025-06-25
求助人
science 在 2025-07-03 09:19:16 发布自山东，悬赏 20 积分
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