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 Clean SiO2 atomic layer etching based on physisorption of high boiling point perfluorocarbon 基于高沸点全氟碳化合物物理吸收的清洁SiO2原子层蚀刻
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期刊：Nanoscale 作者：Dain Sung; Hyunwoo Tak; Heeju Kim; Dongwoo Kim; Kyongnam Kim; et al 出版日期：2024-01-01 |
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