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[高分] Positive VTH shift in Schottky p-GaN Gate power HEMTs: Dependence on Temperature, Bias and Gate leakage
Schottky p-Gap栅功率ECT的VTH正漂移：对温度、偏置和栅泄漏的依赖性
相关领域
材料科学 泄漏（经济） 光电子学 肖特基二极管 氮化镓 逻辑门 电气工程 工程类 纳米技术 图层（电子） 二极管 经济 宏观经济学
网址
http://dx.doi.org/10.1109/TPEL.2024.3368506
DOI
10.1109/TPEL.2024.3368506 doi
求助人
yup 在 2025-07-15 14:41:33 发布自安徽，悬赏 50 积分
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