标题 |
Significant reduction in sidewall damage related external quantum efficiency (EQE) drop in red InGaN microLEDs (~625nm at 1 A/cm2) with device sizes down to 3μm
当器件尺寸降至3 μ m时,红InGaN微LEDs(约625nm,1A/cm2)中与侧壁损伤相关的外部量子效率(EQE)下降显著降低
相关领域
量子效率
下降(电信)
还原(数学)
光电子学
材料科学
量子
物理
量子力学
计算机科学
电信
几何学
数学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Japanese journal of applied physics 作者:Surjava Sanyal; Qinchen Lin; Timothy K. Shih; Shijie Zhang; Guangying Wang; et al 出版日期:2024-02-29 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|