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标题
Terminal Breakdown Voltage Degradation by Avalanche Stress Induced Hot-Hole Injection in Split Gate Trench Power MOSFET
分裂栅沟道功率MOSFET中雪崩应力引起的热空穴注入终端击穿电压下降
相关领域
击穿电压 电气工程 功率MOSFET 沟槽 MOSFET 降级(电信) 材料科学 物理 拓扑(电路) 光电子学 电压 纳米技术 工程类 晶体管 图层(电子)
网址
DOI
10.1109/ISPSD49238.2022.9813651 doi
求助人
ZYC007 在 2024-05-09 21:52:58 发布自江苏,悬赏 10 积分
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