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Selector-less Ferroelectric Tunnel Junctions by Stress Engineering and an Imprinting Effect for High-Density Cross-Point Synapse Arrays 基于应力工程的无选择器铁电隧道结和高密度交叉点突触阵列的印迹效应
相关领域
材料科学
铁电性
光电子学
神经形态工程学
非易失性存储器
量子隧道
纳米技术
小型化
电介质
计算机科学
人工神经网络
机器学习
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| 其它 |
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces 作者:Youngin Goh; Junghyeon Hwang; Minki Kim; Yongsun Lee; Minhyun Jung; et al 出版日期:2021-12-02 |
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