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 Depth profiles of electron traps generated during reactive ion etching in n-type 4H-SiC characterized by using isothermal capacitance transient spectroscopy 用等温电容瞬态谱表征n型4H-SiC反应离子刻蚀过程中产生的电子陷阱的深度分布
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Kazutaka Kanegae; Takafumi Okuda; Masahiro Horita; Jun Suda; Tsunenobu Kimoto 出版日期：2021-09-09 |
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听雨
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